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第二零九章 既生瑜何生亮（第2页）

这也是各大芯片巨头，对fi新型晶体管不上心的主要原因。

在他们看来，有限的精力、财力、研力量，与其投入到看不见影子的fi新型晶体管上，还不如投入到如何提升制造工艺上来的快。

更不用说，fi晶体管即便研出来了，在商用上，也有很长的一段路要走。

需要对现有的生产过程，作很大的革新。

所以说，并不是te、ib、德州仪器这样的芯片巨头研不了fi新型晶体管。

只不过，大家对此都没有形成足够的重视。

而且，也没有多少人认定fi就是未来的方向。

这也是胡教授到处拉不到赞助的原因。

也就王岸然这个挂逼，敢第一个吃螃蟹，甚至在fi商用化研究上，走在全世界的前列。

前后投入了两亿多美元，后续的商用化还要持续投入，折合人民币将近2o亿，在国内这个时期，即便是大型央企，都很难拿出这个魄力。

没办法，魄力是要本钱的。

这自然也是华芯科技腰杆硬的底气。

苏老听完介绍，一双眼睛睁的比灯泡还大，转头盯向王岸然。

“岸然，一个数学模型，你们花了2o亿”

陈创甲摇摇头，即便现在他对华芯科技的感官很好，在心底也是拒绝接受这个现实。

2o亿，什么概念，物化所一年的拨款还不到三千万，还负责上下几百号人的吃喝。

“苏老，fi新型晶体管，在实际芯片加工中，需要的掩膜板比普通工序增加4o，达到三十多块，制造工艺工序增加6o，达到近三百道工序，为了提高实验精度，完全手动调校，在32o纳米制造工艺上，我们成功制造出样品。”

普通的工艺需要的掩膜板费用5o万美元一次，而fi制造工艺需要8o万美元。

这在芯片批量生产中，掩膜板的费用分摊到每个芯片当中，可以忽略不计。

可在流片生产当中，这费用就高了去了。

“这个fi新型晶体管有什么优势”

“晶体管的就是氧化物、硅半导体材料、金属层，沟槽间距过近是，fi新型晶体管，可以通过缩小连接宽度，显著减少漏电量，在未来的纳米制造工艺当中，会有很优良的表现。”

苏老翻看技术文件，指了指其中一段，对王岸然说道“32o纳米制造工艺下，你们的fi晶体管的漏电量，只比普通晶体管减少2的漏电量。

这在实际应用中，为了这2，增加8o多道工序，成本显著提高，良品率显著下降，怕是付出和收益，完全失衡吧”

王岸然摇摇头，看来即便是苏老，也是免不了摆摆老资格，一副指点江山，讯问天下的气势。

“苏老，麻烦你往下面翻翻”

“下面”

苏老看向王岸然，又翻了几页，接下来的文字，让他彻底感受到了fi新型晶体管的魔力。

9o纳米制造工艺可以减少17的漏电率。

45纳米制造工艺可以减少32的漏电率。

32纳米制造工艺可以减少57的漏电率。

22纳米制造工艺可以减少72的漏电率。

14纳米7纳米5纳米

苏老指着数据，看着王岸然问道“这，这，数据准确吗”

王岸然摆了摆手，指了指季小青，说道“这要问季主管了，完全是bis数学模型预测的数据，我想，她是最有言权的吧”

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